新一代高功率激光浮区法单晶炉助力哈尔滨工业大学端材料晶体生长实验及相关研究

　　Quantum Design公司近期推出了激光浮区法单晶生长系统，该系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，具有更高功率、更均匀的能量分布和更加稳定的性能，其优越的技术性能将助力同行学者和专家的晶体生长工作！

　　浮区法单晶生长技术因其在晶体生长过程中具有无需坩埚、样品腔压力可控、生长状态便于实时观察等诸多优点，目前已被公认为是获取高质量、大尺寸单晶的重要手段之一。激光浮区法单晶生长系统可广泛应用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合端材料（诸如：高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等），以及常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作！

　　跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：

功率更高，能量密度更大，加热效率更高
采用技术五路激光设计，确保熔区能量分布更加均匀
更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力
采用了特的实时温度集成控制系统

新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数：

加热控制	激光束	5束
激光功率	2KW
熔区高温	～3000℃*
测温范围	900℃～3500℃
温度稳定性	+/-1℃
晶体生长控制	大位移距离	150mm*
晶体生长大直径	8mm*
晶体生长大速度/转速	300 mm/hour;100rpm
晶体生长监控	高清摄像头
晶体生长控制	PC控制
其它	占地面积	D140 xW210 x H200 (cm)

*具体取决于材料及实验条件

　　哈尔滨工业大学科学工程专项建设指挥部暨空间基础科学研究中心致力于各种高熔点、易挥发的超导、磁性、铁电、热电等材料的单晶生长实验及相关物性研究，近日，我司再次同院校哈尔滨工业大学合作，顺利完成新一代高功率激光浮区法单晶炉设备采购订单，推动单晶生长工作迈向更高的台阶，我们也将一如既往，秉承精益求精的研发、设计和加工理念，为用户提供的技术和服务，助力用户科研事业更上一层楼!

新一代高功率激光浮区法单晶炉助力哈尔滨工业大学端材料晶体生长实验及相关研究