磁随机存储器（Magnetic random access memory，MRAM）是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性（Non-Volatile）随机存储器，与其他存储技术相比，MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中，被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存的潜在存取器件之一。因此，近些年来MRAM引起了不少科研机构和企业的关注，相应的高端测试设备需求也随之增加，而Hprobe公司生产的IBEX-300晶圆超快三维磁场探针台为一个不错的选择。
IBEX-300晶圆超快三维磁场探针台
与传统的探针台相比，IBEX-300是专门用于晶圆片在磁场下的表征和测试的仪器。它基于技术的三维磁场发生装置来进行超快的磁阻测试，整个测试过程全自动完成，可以根据用户的测试需要来自定义测试程序，为磁性器件（传感器和存储器）的开发、工艺和生产带来了完整的测试解决方案。
主要应用方向：
磁性隧道结
磁随机存取存储器
集成磁传感器(Hall, GMR, TMR)
智能传感器
主要测试模式：
开路/短路 测试
AC/DC I-V, R-V 测试
AC/DC 击穿电压测试
读/写脉冲测试
R-H 角度/幅值 回线测试
误码率测试
器件循环和稳定性测试
三维磁场发生装置
超快磁场扫描
三维磁场发生装置可以实现各磁场空间轴的立驱动，也可以控制磁场在任意空间方向，以及产生旋转磁场等。磁场的扫描采样速率可由静态磁场控制到幅值超过10,000步/秒。
测试程序界面
良率测试结果示意图
目前Hprobe公司已经向全球多个半导体工厂交付了IBEX-300三维磁场探针台，同时面向客户开放部分样品测试。
